每經(jīng)訊，據(jù)啟信寶，新三板創(chuàng)新層公司瑞能半導(dǎo)（873928）新增專利信息，專利權(quán)人為瑞能半導(dǎo)，發(fā)明人是付紅霞、章劍鋒、崔京京。專利授權(quán)日為2023年7月28日，專利名稱為“溝槽型MOSFET晶體管”，專利類型為中國(guó)實(shí)用新型專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N202320007254.0。

該專利摘要顯示：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種溝槽型MOSFET晶體管，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該溝槽型MOSFET晶體管包括第一摻雜類型的襯底，襯底包括第一表面，第一表面上設(shè)置有第一摻雜類型的外延層；設(shè)置在外延層內(nèi)的第二摻雜類型的阱區(qū)；設(shè)置在阱區(qū)內(nèi)的柵極溝槽結(jié)構(gòu)；柵極溝槽結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在遠(yuǎn)離第一表面一側(cè)的柵極；設(shè)置在柵極與柵極溝槽結(jié)構(gòu)的底部之間的多個(gè)相互絕緣的第一場(chǎng)板，在平行于第一表面的方向上，各個(gè)第一場(chǎng)板具有相同的長(zhǎng)度；柵極與第一場(chǎng)板之間絕緣；在垂直于第一表面的方向上，相鄰兩個(gè)第一場(chǎng)板之間的距離由各個(gè)第一場(chǎng)板的厚度確定。根據(jù)本申請(qǐng)能夠保證溝槽型MOSFET晶體管內(nèi)電場(chǎng)分布均勻，且簡(jiǎn)化制造工藝。

(記者 曾健輝)

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