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中芯國(guó)際能否追上臺(tái)積電?解碼“唯一追趕者”落后之謎與希望之光

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2020-08-06 08:05:41

每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 魏官紅    

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如果半導(dǎo)體行業(yè)有朋友圈,那一定被國(guó)務(wù)院于8月4日發(fā)布的史詩(shī)級(jí)利好政策刷屏了,而被@次數(shù)最多的,當(dāng)屬中芯國(guó)際。

畢竟,十年免征企業(yè)所得稅的優(yōu)惠,中芯國(guó)際唾手可得。

自華為事件之后,國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)快速升溫,企業(yè)估值迭創(chuàng)新高。作為全球第四大晶圓代工廠,也是第六家掌握14納米制程的晶圓制造行業(yè)企業(yè),中芯國(guó)際受到投資者的廣泛關(guān)注。

7月16日,中芯國(guó)際(688981,SH)登陸科創(chuàng)板,當(dāng)天市值迅速突破6000億元,躍升為科創(chuàng)板第一股。一出場(chǎng)便光彩照人,贏得萬(wàn)眾矚目。

如今,受政策利好影響,中芯國(guó)際的崛起仿佛近在眼前。可在這樣一個(gè)資本密集型和技術(shù)密集型行業(yè),不得不面對(duì)強(qiáng)者恒強(qiáng)的現(xiàn)實(shí),要想奔跑,既需要巨額資本投入,也需要攻破層層技術(shù)挑戰(zhàn)。

不可否認(rèn),中芯國(guó)際與臺(tái)積電等國(guó)際先進(jìn)企業(yè)在先進(jìn)制程上仍存在差距:臺(tái)積電已量產(chǎn)5納米,中芯國(guó)際尚停留在量產(chǎn)14納米。雖然十余年前,中芯國(guó)際曾一度大幅縮小與臺(tái)積電的差距,但在經(jīng)歷與臺(tái)積電的專利大戰(zhàn)、靈魂人物張汝京出走,管理層內(nèi)斗之后,元?dú)獯髠?/span>

2017年,曾在臺(tái)積電和三星就職過(guò)的梁孟松加入中芯國(guó)際任聯(lián)合首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事,帶領(lǐng)公司又踏上了追趕之旅:增資中芯南方,2019年量產(chǎn)14納米,研發(fā)N+1、N+2工藝……隱隱可見希望之光。

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貨幣單位:億元人民幣   

數(shù)據(jù)來(lái)源:中芯國(guó)際招股書、公開資料整理


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誰(shuí)與爭(zhēng)鋒:7納米“唯一追趕者”

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最近,中芯國(guó)際“有點(diǎn)忙”。

先是拿下了華為海思14納米的訂單,接著又斥巨資購(gòu)入設(shè)備增加產(chǎn)能。最令外界關(guān)注的是,7納米似乎也指日可待。

要知道,目前全球能夠提供7納米及7納米以下先進(jìn)制程工藝的廠商(包括代工廠和IDM)僅有臺(tái)積電和三星。而不同廠商的命名規(guī)格不盡相同,英特爾當(dāng)下最先進(jìn)的是10納米制程。不過(guò),英特爾的10納米制程晶體管密度卻是介于臺(tái)積電7納米和7納米EUV之間。

因此,若以臺(tái)積電7納米為統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),那上述先進(jìn)制程領(lǐng)域的入局者也僅有臺(tái)積電、英特爾和三星。并且,隨著先進(jìn)制程不斷演進(jìn),資金、技術(shù)壁壘也呈現(xiàn)出不斷提高的趨勢(shì),晶圓制造行業(yè)先進(jìn)制程“玩家”也會(huì)越來(lái)越少。

晶圓制造,也就是我們常說(shuō)的芯片制造技術(shù),其技術(shù)難度之大,復(fù)雜程度之高,科技含量之多,號(hào)稱‘人類科技精華’,是人類工業(yè)制造的皇冠。”品利基金半導(dǎo)體投資經(jīng)理陳啟如是描述。

如今,掌握14納米工藝節(jié)點(diǎn)的廠商有臺(tái)積電、英特爾、三星、格羅方德、聯(lián)電和中芯國(guó)際。而在7納米制程角逐中,格羅方德和聯(lián)電相繼“掉隊(duì)”。

2018年,格羅方德宣布放棄7納米研發(fā);同年,聯(lián)電宣布放棄12納米以下(即7納米及以下)的先進(jìn)制程投資。

彼時(shí),中芯國(guó)際尚未量產(chǎn)14納米。但在2017年梁孟松加入后,中芯國(guó)際進(jìn)步神速。

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圖片來(lái)源:中芯國(guó)際官網(wǎng)截圖

2019年第四季度,中芯國(guó)際量產(chǎn)14納米制程,并宣布正在全力研發(fā)N+1、N+2工藝。

據(jù)梁孟松此前介紹,N+1工藝相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%。

在陳啟看來(lái),N+1工藝性能應(yīng)該介于14納米和7納米之間。“業(yè)內(nèi)傳聞為12納米,不過(guò)這沒有得到中芯國(guó)際的官方確認(rèn)。”

相比N+1工藝,N+2工藝的性能和成本都更高,但具體技術(shù)細(xì)節(jié)尚未公布。陳啟表示:“業(yè)內(nèi)傳聞(N+2)是一種定制化的7納米,大致相當(dāng)于臺(tái)積電第一代7納米工藝,對(duì)標(biāo)臺(tái)積電N7工藝。”

Gartner研究副總裁盛陵海則直接表示:“N+1差不多是8納米,N+2就是7納米了。”

由此看來(lái),中芯國(guó)際確實(shí)在積極研發(fā)7納米制程。且格羅方德、聯(lián)電兩方已放棄7納米的研發(fā)和投資,中芯國(guó)際因而成為7納米先進(jìn)制程“唯一的追趕者”。

另外,考慮到三星、英特爾均為IDM企業(yè),中芯國(guó)際便也成為臺(tái)積電在晶圓代工先進(jìn)制程領(lǐng)域的“唯一追趕者”。

對(duì)于先進(jìn)制程入局者越來(lái)越少的趨勢(shì),盛陵海認(rèn)為:“每一代新工藝需要的投資金額越來(lái)越多,因此市場(chǎng)上逐漸只有前幾位才有足夠的市場(chǎng)份額和利潤(rùn)支持下一代技術(shù)的投資。而技術(shù)又需要積累才能推動(dòng)下一代的開發(fā),很多公司的技術(shù)如果不能支持其盡快推出新工藝,要么只能停留在老工藝不升級(jí),要么就退出市場(chǎng)。老工藝不是不賺錢,也是可以維持的,但是后續(xù)發(fā)展就沒有很大的機(jī)會(huì)了。”


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追趕者往事:因?qū)@V訟惜???

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事實(shí)上,2006年至2009年間,中芯國(guó)際就曾奮力追趕臺(tái)積電,并一度看到希望的曙光——其65納米小幅落后于臺(tái)積電,45納米與IBM合作,進(jìn)一步縮小了與臺(tái)積電的差距。

只是在黎明到來(lái)之前,慘敗于專利訴訟。

對(duì)于中芯國(guó)際落后于臺(tái)積電,陳啟分析稱:“臺(tái)積電對(duì)中芯國(guó)際發(fā)起了兩次專利訴訟,中芯國(guó)際都沒能勝訴,第二次(訴訟)甚至導(dǎo)致中芯國(guó)際創(chuàng)始人張汝京出走,主心骨一走,(軍心)就渙散了。”

2005年,臺(tái)積電試產(chǎn)65納米制程,2006年第四季度開始量產(chǎn);中芯國(guó)際則于2007年掌握了65納米制程,其2007年第四季度財(cái)報(bào)顯示:“中芯國(guó)際向全球客戶提供0.35微米到65納米及更先進(jìn)的晶片代工服務(wù)。”

2007年10月24日,中芯國(guó)際與Spansion(飛索半導(dǎo)體)簽署晶圓代工協(xié)議,生產(chǎn)300mm(12英寸)、65納米MirrorBit產(chǎn)品。Spansion是由AMD和富士通整合各自閃存業(yè)務(wù)合并而成,為全球知名NOR型閃存廠商??梢钥闯觯藭r(shí)中芯國(guó)際65納米制程已經(jīng)獲得國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)計(jì)巨頭的訂單了。

中芯國(guó)際在65納米制程節(jié)點(diǎn)與臺(tái)積電展開激烈競(jìng)爭(zhēng)的同時(shí),也在迅速布局45納米制程。2007年12月,中芯國(guó)際與IBM簽訂45納米Bulk COMS技術(shù)許可協(xié)定。

然而,2009年,中芯國(guó)際的追趕形勢(shì)陡然生變。

早在2003年12月,臺(tái)積電就提起訴訟,稱中芯國(guó)際侵犯其若干專利。2005年1月,中芯國(guó)際一度與臺(tái)積電達(dá)成和解,可臺(tái)積電于2006年8月再度發(fā)起訴訟,理由是中芯國(guó)際違反和解協(xié)議。臺(tái)積電認(rèn)為,中芯國(guó)際將臺(tái)積電的商業(yè)機(jī)密運(yùn)用于制造0.13微米或更小之工藝產(chǎn)品。

2009年9月,中芯國(guó)際與臺(tái)積電達(dá)成和解,以解決與臺(tái)積電所有未決訴訟。和解條款包括中芯國(guó)際向臺(tái)積電支付2億美元,并向臺(tái)積電授出17.89億股中芯國(guó)際股份(截至2009年10月31日,占中芯國(guó)際總股本的8%),另外可按1.30港元/股價(jià)格認(rèn)購(gòu)6.96億股中芯國(guó)際股份,股份發(fā)行生效后,臺(tái)積電將取得中芯國(guó)際已發(fā)行股份10%的擁有權(quán)。

這次和解,解決了中芯國(guó)際與臺(tái)積電長(zhǎng)達(dá)6年的訴訟大戰(zhàn),臺(tái)積電則成為了中芯國(guó)際第二大股東,持股比例僅次于大唐電信科技產(chǎn)業(yè)控股有限公司(以下簡(jiǎn)稱大唐控股)。

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圖片來(lái)源:中芯國(guó)際公告

雖然專利訴訟糾紛告一段落,但客觀上也導(dǎo)致了中芯國(guó)際管理團(tuán)隊(duì)分崩離析。

和解達(dá)成后不久,2009年11月10日,中芯國(guó)際公告稱,張汝京卸任公司執(zhí)行董事、總裁兼首席執(zhí)行官,上述職務(wù)改由王寧國(guó)擔(dān)任。

張汝京是中芯國(guó)際創(chuàng)始人,其擁有30多年的半導(dǎo)體制造與研發(fā)經(jīng)驗(yàn),曾在美國(guó)德州儀器工作了20年,期間成功地在美國(guó)、日本、新加坡、意大利及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)創(chuàng)建并管理10多個(gè)晶圓廠的技術(shù)開發(fā)及運(yùn)作。

1997年,張汝京離開德州儀器,回到中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)立晶圓代工廠世大半導(dǎo)體,向臺(tái)積電發(fā)起挑戰(zhàn)。但世大半導(dǎo)體于2000年被臺(tái)積電并購(gòu),張汝京只能黯然離開。

可他并沒有心灰意冷,而是帶領(lǐng)上百名中國(guó)臺(tái)灣工程師在上海創(chuàng)立了中芯國(guó)際。

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圖片來(lái)源:視覺中國(guó)

于中芯國(guó)際而言,張汝京是創(chuàng)始人,同時(shí)也是靈魂人物。

 

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王楊之爭(zhēng):錯(cuò)失發(fā)展機(jī)遇

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2009年,靈魂人物張汝京離開后,中芯國(guó)際與臺(tái)積電在制程上的差距也越來(lái)越大。西南證券研報(bào)顯示,90納米中芯落后臺(tái)積電1年,65納米落后兩年,40納米落后三年,28納米整整落后6年。

對(duì)于個(gè)中緣由,盛陵海認(rèn)為:“中間有段時(shí)間管理層換人,導(dǎo)致戰(zhàn)略方向改變、投資不持續(xù)。另外,國(guó)家層面一開始也沒有那么重視(晶圓制造)。”

陳啟也持類似觀點(diǎn):“張汝京出走之后,中芯國(guó)際內(nèi)部矛盾爆發(fā),比如著名的‘王楊之爭(zhēng)’,加上老董事長(zhǎng)江董(江上舟)離世,群龍無(wú)首,導(dǎo)致中芯國(guó)際高層動(dòng)蕩、陷入混亂,從而無(wú)法凝聚力量。”

2010年2月9日,中芯國(guó)際一口氣任命了三位高管,即商務(wù)長(zhǎng)季克飛、營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)楊士寧和財(cái)務(wù)長(zhǎng)曾宗琳,由此也確立了后張汝京時(shí)代的管理架構(gòu)。

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“王楊之爭(zhēng)”又是怎么一回事呢?

這就要談到中芯國(guó)際時(shí)任總裁王寧國(guó)和時(shí)任營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)楊士寧了。

王寧國(guó)曾長(zhǎng)期就職于半導(dǎo)體設(shè)備巨頭應(yīng)用材料(AppliedMaterials),主導(dǎo)過(guò)多項(xiàng)技術(shù)開發(fā),為半導(dǎo)體制程設(shè)備技術(shù)帶來(lái)許多成功的突破。楊士寧擔(dān)任特許半導(dǎo)體首席技術(shù)官期間,也成功使該公司市場(chǎng)占有率快速提升。

可以說(shuō),兩人在國(guó)際之前,在半導(dǎo)業(yè)享有盛名,二人作本是絕配。

楊士加入中芯國(guó)際,是因?yàn)?/span>特許半導(dǎo)體遭格羅方德收購(gòu),他的加入也帶來(lái)了一批晶圓代工行業(yè)人才。但王寧國(guó)更信任的,是一批來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣的人才,比如季克飛、曾宗琳。

雙方合作期間,無(wú)硝煙的商場(chǎng)上暗流涌動(dòng),矛盾也不斷激化,最終在2011年6月舉行的股東大會(huì)上爆發(fā)。因大股東大唐控股反對(duì),王寧國(guó)落選執(zhí)行董事。2011年7月,王寧國(guó)從中芯國(guó)際離職,2011年8月,楊士寧也選擇了離職。

王楊二人相繼出走,對(duì)中芯國(guó)際的損失是巨大的。在王寧國(guó)離開后,季克飛、曾宗琳等一大批中國(guó)臺(tái)灣高管、技術(shù)人員也陸續(xù)出走。


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員工待遇不高:“斯米克”成跳板?

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專利訴訟、高管內(nèi)訌,中芯國(guó)際這個(gè)“戰(zhàn)場(chǎng)”,成了最大的輸家,公司逐漸落后于臺(tái)積電等一線晶圓工廠。

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圖片來(lái)源:視覺中國(guó)

而員工待遇相對(duì)不高,則是導(dǎo)致中芯國(guó)際落后的另一重要原因。

陳啟表示:“中芯國(guó)際不合理的薪酬體系導(dǎo)致人員流失率非常高。外界調(diào)侃中芯國(guó)際是‘斯米克血汗工廠’、‘培訓(xùn)中心’,是一個(gè)‘四不像’的公司。像外企,又不是外企,不是國(guó)企卻受到體制內(nèi)的影響,但也非單純的民企,在不合理的制度下,公司挖不到人、也留不住人。

中芯國(guó)際制程工程師馬斯偉(化名)對(duì)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者講述了公司的薪酬情況。他在研究生畢業(yè)后來(lái)到中芯國(guó)際上海晶圓工廠工作,目前稅前月薪不足1萬(wàn)元,一年14薪。公司會(huì)給工程師提供兩人間宿舍,員工每月需繳納500元房租,食堂就在辦公樓里,工作餐會(huì)有餐補(bǔ),一餐補(bǔ)貼15元。若計(jì)算上餐補(bǔ),預(yù)計(jì)中芯國(guó)際普通研究生畢業(yè)的制程工程師稅前年薪不超過(guò)15萬(wàn)元。

據(jù)馬斯偉介紹,中芯國(guó)際工作電腦屏蔽外網(wǎng),很多部門將手機(jī)直接鎖在柜子里,進(jìn)車間一律不允許帶手機(jī)。

而與晶圓工廠相比,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)行業(yè)薪資水平要高得多。一位研究生畢業(yè)兩年的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)行業(yè)人士對(duì)記者表示,其一年稅后薪水為26萬(wàn)元。

對(duì)此,馬斯偉表示:“從制造轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)很難,設(shè)計(jì)工程師學(xué)的是微電子和編程,(我們)學(xué)的偏向于工藝制造。”對(duì)于自己的薪酬,馬斯偉表示:“在上海生存太難了,個(gè)人感覺公司流動(dòng)性比較大。中芯平臺(tái)大,(很多人)來(lái)刷經(jīng)驗(yàn)。”

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圖片來(lái)源:中芯國(guó)際《2018年企業(yè)社會(huì)責(zé)任報(bào)告》截圖

根據(jù)中芯國(guó)際《2018年企業(yè)社會(huì)責(zé)任報(bào)告》,2018年度,公司員工流失率為22%。其中,上海流失員工占總流失員工的52.2%;30歲以下員工占總流失員工的79.3%。


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技術(shù)瓶頸:一切難點(diǎn)都在于精準(zhǔn)

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雖然,專利訴訟、高管變動(dòng)、人員流失帶來(lái)了很大影響。但對(duì)于中芯國(guó)際而言,制約其發(fā)展的痛點(diǎn)仍是技術(shù)。

作為7納米先進(jìn)制程“唯一的追趕者”,中芯國(guó)際雄心勃勃,攻破先進(jìn)制程的難度難以想象。

“目前晶體的尺寸已經(jīng)接近原子級(jí)別,技術(shù)難度已經(jīng)超乎普通人的想象,因此主要難度還是在技術(shù)層面。”陳啟認(rèn)為。

某晶圓工廠制程工程師羅斌(化名)從實(shí)操角度出發(fā),形象地向記者描述了晶圓制造的難點(diǎn):“芯片就像是一座大樓,你知道要做哪一樓,也知道用水泥,但你不知道水泥中的成分,以及水和泥的比例。”

“這就叫核心科技。”羅斌補(bǔ)充強(qiáng)調(diào)道。

一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士也持同樣的觀點(diǎn):“很多時(shí)候,很厲害的技術(shù)可能初學(xué)者都能做到,但難就難在,從數(shù)以萬(wàn)計(jì)的加工方法中將其找出來(lái)。探索核心技術(shù)如同隔了一張紙,捅破了什么都不是,難就難在找不到紙?jiān)谀膬骸?/strong>”

作為一線制程工程師,羅斌分析稱:“隨著制程的發(fā)展,每一個(gè)步驟的margin(可以理解為誤差范圍)都在變小。(晶圓制造)有很多關(guān)鍵步驟,比如SN partition mask是做電容的。SNC Partitiom mask就是SN Contact Partition Mask,如果SNC位置不對(duì),你就連接不上SN,難在位置。再比如,SNC旁邊還有別的像Metal Contact等圖形,如果這些圖形太大或者太小,SNC就沒有了位置,也就是說(shuō)每一步的尺寸也很關(guān)鍵,再者,如果SNC做得不夠長(zhǎng),也會(huì)導(dǎo)致連接不到SN,這些都是難點(diǎn)。”

其進(jìn)一步舉例稱:“比如有一道步驟叫做GATE Mask,也就是課本上的柵極。Peri區(qū)都會(huì)有GATE,會(huì)有很多圖形。難點(diǎn)就是這么多圖形怎么才能做到應(yīng)該做到的位置,并且不發(fā)生變形。”

羅斌總結(jié)稱:“一切的難點(diǎn)都在于精準(zhǔn)。”

除了精準(zhǔn),晶圓制造還有著龐大的工作量。陳啟表示:“晶圓制造工藝主要包括光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、摻雜、金屬互連和CMP拋光等幾十種工藝。在產(chǎn)線上重復(fù)數(shù)十次完成,工作量異常龐大,例如14nm大約需要1500+ 步驟才能完成。

“每個(gè)細(xì)節(jié)都必須做到完美,才能保證良率。晶圓制造是設(shè)備、材料、工藝、技術(shù)的完整結(jié)合,所有工藝都非常重要。”陳啟補(bǔ)充道。

精準(zhǔn)要求極高,流程步驟多,而各種工藝彼此之間的搭配相當(dāng)復(fù)雜。集邦咨詢分析師徐韶甫對(duì)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者表示:“單單為了完成一層圖案就牽涉到數(shù)十道流程,而各個(gè)流程又會(huì)存在能否檢測(cè)的問(wèn)題,有些時(shí)候不能在制作流程當(dāng)下檢查是否有問(wèn)題,要到后幾道流程發(fā)現(xiàn)問(wèn)題了,再回推前面的狀況進(jìn)行分析。”

徐韶甫告訴記者:“越先進(jìn)的技術(shù)需要的開發(fā)時(shí)間越長(zhǎng),假設(shè)與先進(jìn)業(yè)者的差距僅落后一代,但下一代技術(shù)開發(fā)所需的時(shí)間也不會(huì)因此而縮短。”

盛陵海曾對(duì)記者表示:“晶圓制造沒有什么技術(shù)不重要,但是最關(guān)鍵是光刻,刻蝕和檢測(cè)。”而光刻機(jī),或?qū)⒊蔀橹行緡?guó)際未來(lái)發(fā)展的瓶頸。業(yè)內(nèi)公認(rèn)7納米仍可以使用DUV光刻機(jī),但若發(fā)展7納米以下制程,必須使用EUV光刻機(jī)。

徐韶甫表示:“EUV已經(jīng)被普遍用在7納米以下的節(jié)點(diǎn),GAA又要使用在3納米以下的架構(gòu),憑借現(xiàn)在的邏輯制程來(lái)達(dá)到GAA的納米尺寸微縮,除了EUV外目前還是難有取代方案。”

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圖片來(lái)源:ASML官網(wǎng)截圖

早在2018年5月,中芯國(guó)際就已向荷蘭ASML訂購(gòu)了一臺(tái)最新型的EUV光刻機(jī),價(jià)值高達(dá)1.5億美元。然而截至2020年8月,中芯國(guó)際仍未收到ASML的EUV光刻機(jī)。

目前,中芯國(guó)際研發(fā)的N+2仍屬于7納米制程,若后續(xù)發(fā)展更為先進(jìn)的制程工藝時(shí),仍無(wú)法獲得EUV光刻機(jī),恐將遭遇難以攻克的技術(shù)瓶頸。


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希望之光:突破高資本、高技術(shù)壁壘

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除了技術(shù),巨額的資本投入,也對(duì)先進(jìn)制程后入者帶來(lái)了極高的行業(yè)壁壘。集邦咨詢方面認(rèn)為:“晶圓制造是資本、技術(shù)密集產(chǎn)業(yè),每一代制程的研發(fā)與生產(chǎn)所需要投入的人力(人才)、資金、土地廠房(包含機(jī)臺(tái))等皆需要大量的資本支出,同時(shí)也需要足夠的市場(chǎng)(客戶)來(lái)平衡其龐大的成本。”

特別是先進(jìn)制程,研發(fā)投資尤高。韶甫補(bǔ)充表示:“隨著制程越來(lái)越先進(jìn),龐大的資本支出讓門檻越來(lái)越高,能進(jìn)入先進(jìn)制程的廠商也越少。加上晶圓制造需要長(zhǎng)時(shí)間的累積,這讓后進(jìn)者入局更加不易。”

陳啟也表示:“在半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局中,經(jīng)常出現(xiàn)‘強(qiáng)者恒強(qiáng)’的現(xiàn)象,行業(yè)老大吃肉,老二喝湯,老三吃剩下的。深究其原因,主要是行業(yè)龍頭擁有較多的資源,能夠集聚力量,不斷投入研發(fā),擴(kuò)大收入,擴(kuò)大市場(chǎng)份額,越做越大,越做越強(qiáng),導(dǎo)致后來(lái)者的競(jìng)爭(zhēng)力根本無(wú)力追趕,陷入死循環(huán)。

這意味著,晶圓制造行業(yè)的落后幾乎是永久性的,一旦放棄跟隨先進(jìn)制程,落后的代差太大,后續(xù)想要追趕的技術(shù)難度將更高。

中芯國(guó)際的存在,無(wú)疑令中國(guó)大陸手握突破7納米先進(jìn)制程的“鑰匙”。

而梁孟松的加入,為中芯國(guó)際按下了技術(shù)的“加速鍵”。

梁孟松曾經(jīng)在臺(tái)積電和三星都工作過(guò),來(lái)中芯國(guó)際已經(jīng)是第三次做14nm FinFET工藝了,具有豐富的經(jīng)驗(yàn)。陳啟稱:“(FinFET技術(shù)發(fā)明人)胡正明教授曾是梁孟松的博士生導(dǎo)師,可以說(shuō)梁孟松是胡教授最得意的門生。”

不管是14納米還是7納米,均使用FinFIT工藝,梁孟松作為胡正明的學(xué)生,又曾主導(dǎo)14納米FinFIT的研究,他的經(jīng)驗(yàn)對(duì)于中芯國(guó)際無(wú)疑十分重要。

信達(dá)證券電子行業(yè)首席分析師方競(jìng)曾向記者強(qiáng)調(diào)梁孟松到來(lái)對(duì)于芯國(guó)際的改變。“梁孟松到來(lái)之前,中芯國(guó)際(與臺(tái)積電、三星)的差距是逐年拉大的。他到來(lái)之后,中芯國(guó)際的研發(fā)采取了跳代的方式,直接跳到14nm,之后繼續(xù)向N+1、N+2發(fā)展。

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圖片來(lái)源:中芯國(guó)際官網(wǎng)截圖

關(guān)于中芯國(guó)際今后的發(fā)展,其是否能在梁孟松的帶領(lǐng)下趕上臺(tái)積電等問(wèn)題,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者于8月4日下午致電中芯國(guó)際媒體聯(lián)系人,并于8月5日發(fā)送采訪函,不過(guò)截至發(fā)稿尚未收到回復(fù)。

領(lǐng)路人有了,資金問(wèn)題如何解決?

國(guó)家集成電路大基金、地方集成電路基金以及科創(chuàng)板……一項(xiàng)又一項(xiàng)利好正幫助中芯國(guó)際突破高資本壁壘。中芯南方為中芯國(guó)際7納米及以下制程的承載主體,2018年1月30日,中芯南方增資擴(kuò)股,注冊(cè)資本由2.10億美元增至35億美元,注資者為國(guó)家集成電路大基金以及上海集成電路基金。

2020年5月15日,中芯南方再度簽署《增資擴(kuò)股協(xié)議》,國(guó)家、地方集成電路基金再度注資,擬增資30億美元至65億美元。

2020年7月31日,中芯國(guó)際宣布與北京開發(fā)區(qū)管委會(huì)訂立合作框架文件,雙方有意就發(fā)展及營(yíng)運(yùn)該項(xiàng)目于中國(guó)共同成立合資企業(yè)。合資企業(yè)從事發(fā)展及營(yíng)運(yùn)的項(xiàng)目將聚焦于生產(chǎn)28納米及以上集成電路,該項(xiàng)目首期的估計(jì)投資及初始注冊(cè)資本將分別為76億美元及50億美元,約51%的初始注冊(cè)資本將由中芯國(guó)際出資。

在科創(chuàng)板上市儀式上,中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)表示,以紅籌架構(gòu)回歸A股科創(chuàng)板,充分體現(xiàn)了境內(nèi)資本市場(chǎng)對(duì)科技創(chuàng)新型企業(yè)的包容,體現(xiàn)了科創(chuàng)板對(duì)關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新的支持和對(duì)實(shí)體經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支撐。上市后,中芯國(guó)際將進(jìn)一步借助境內(nèi)資本市場(chǎng)的力量,加速創(chuàng)新和發(fā)展,為更多的海內(nèi)外客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù),推動(dòng)公司不斷成長(zhǎng),并為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)。

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圖片來(lái)源:視覺中國(guó)

不僅僅是資金支持,國(guó)家在財(cái)稅政策上也給出了“史詩(shī)級(jí)優(yōu)惠。8月4日,國(guó)務(wù)院發(fā)布了針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的八大優(yōu)惠政策——《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》。其中,財(cái)稅政策最受矚目。國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路線寬小于28納米(含),且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目,第一年至第十年免征企業(yè)所得稅。

由此可見,中芯國(guó)際可以享受到十年免征企業(yè)所得稅的優(yōu)惠。陳啟也對(duì)記者表示:“若以持續(xù)經(jīng)營(yíng)時(shí)間超過(guò)15年計(jì)算,滿足該標(biāo)準(zhǔn)的只有中芯國(guó)際和華虹。”


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記者手記|迎難而上的“追趕者”

中芯國(guó)際一上市便躍升成為科創(chuàng)板市值第一股。

近期,中芯國(guó)際擬投資76億美元加碼28納米及以上制程,引爆投資圈。

再加上國(guó)務(wù)院出臺(tái)半導(dǎo)體八大優(yōu)惠政策,導(dǎo)致中芯國(guó)際熱度居高不下。

很多投資者知道中芯國(guó)際是做晶圓代工的,但對(duì)該行業(yè)的重要性及難度缺乏認(rèn)知。實(shí)際上,我們今天之所以能享受到互聯(lián)網(wǎng)的諸多好處,很大程度上得益于晶圓制造技術(shù)的進(jìn)步,摩爾定律使得芯片的計(jì)算能力持續(xù)飛速提高。

晶圓制造,特別是先進(jìn)制程的難度,更是超出人們想象,而一切的難點(diǎn)都在于精準(zhǔn)。從原理上看,晶圓制造與照相技術(shù)類似,使用光刻工藝把圖形刻到晶圓上,再把不需要的部分洗掉。但當(dāng)工藝精確到納米級(jí)別時(shí),如何“對(duì)準(zhǔn)”極為困難。

目前,達(dá)到7納米(以臺(tái)積電7納米為準(zhǔn),等同英特爾10納米)制程的,唯有臺(tái)積電、三星和英特爾。而由于高資本和高技術(shù)壁壘,格羅方德和聯(lián)電紛紛放棄研發(fā)投資7納米,故該制程的追趕者唯有中芯國(guó)際。

其實(shí),中芯國(guó)際在工藝上一度接近臺(tái)積電,只是在專利大戰(zhàn)之后,管理層的動(dòng)蕩導(dǎo)致差距逐漸拉大。如今,國(guó)家大力發(fā)展集成電路,國(guó)務(wù)院出臺(tái)財(cái)稅等優(yōu)惠政策,國(guó)家、地方集成電路基金給予資金支持;梁孟松的加入,也使得中芯國(guó)際在技術(shù)追趕上有了主心骨。

曾經(jīng)的中芯國(guó)際奮力追趕卻半路折戟,如今,“追趕者”中芯國(guó)際再度看到了曙光。


記者:朱成祥

編輯:魏官紅

視覺:劉青彥

排版:魏官紅 馬原

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